近日，據(jù)外媒報(bào)導(dǎo)，大張旗鼓宣傳要回歸晶圓代工市場(chǎng)的英特爾，大規(guī)模全球晶圓廠建設(shè)計(jì)劃可能由2021年底前延到2022年初。

英特爾執(zhí)行長(zhǎng)Pat Gelsinger在2021年3月分享的“IDM2.0”中，在創(chuàng)建英特爾代工服務(wù)（IFS）部門之后，宣布重新回歸晶圓代工市場(chǎng)，這也是英特爾營(yíng)運(yùn)大革新。為了加速IDM2.0，英特爾規(guī)劃大幅擴(kuò)產(chǎn)，已投資約200億美元在美國(guó)亞利桑那州的Octillo園區(qū)新建兩座晶圓廠（Fab52和Fab62）。

對(duì)英特爾龐大的產(chǎn)能擴(kuò)充計(jì)劃來(lái)說(shuō)，200億美元只是一小部分，原計(jì)劃整體投資規(guī)模超過(guò)2000億美元，包括美國(guó)和歐洲地區(qū)新晶圓廠，以及世界各地升級(jí)設(shè)施。近期英特爾就投資70億美元在馬來(lái)西亞建造新芯片封裝和測(cè)試工廠，以加強(qiáng)全球半導(dǎo)體生產(chǎn)能力。

2000億美元計(jì)劃原定2021年底前公布具體方案，主要為美國(guó)和歐洲大規(guī)模建設(shè)專案。但據(jù)外媒報(bào)導(dǎo)，英特爾將延后到2022年初，可能因計(jì)劃的復(fù)雜度，要考慮眾多因素的影響，因大規(guī)模投資涉及政府補(bǔ)貼和稅收優(yōu)惠等政策。

英特爾曾宣稱，會(huì)在美國(guó)興建一座半導(dǎo)體制造中心，擁有6~8個(gè)半導(dǎo)體生產(chǎn)線，使用英特爾最先進(jìn)工藝（4或3納米工藝）和芯片封裝（EMIB和Foveros封裝）設(shè)施，且會(huì)有專用發(fā)電廠。每個(gè)半導(dǎo)體制造生產(chǎn)線成本斥資100億至150億美元，Pat Gelsinger表示計(jì)劃投資1000億美元。

更早之前的報(bào)導(dǎo)，英特爾將在歐洲分兩階段興建晶圓廠，第一階段投資約200億美元建造兩座晶圓廠，然后再建造六座晶圓廠，最終會(huì)有八座晶圓廠，成為價(jià)值1000億美元的半導(dǎo)體制造基地。目前，這部分計(jì)劃還在討論補(bǔ)貼當(dāng)中。

以上就是英銳恩單片機(jī)開發(fā)工程師分享的“英特爾晶圓廠建設(shè)計(jì)劃推遲”。英銳恩專注單片機(jī)應(yīng)用方案設(shè)計(jì)與開發(fā)，提供8位單片機(jī)、16位單片機(jī)、32位單片機(jī)。