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深圳單片機開發(fā)方案公司英銳恩為你帶來晶圓代工廠的資訊。電子產(chǎn)品開發(fā)越來越微型化與晶圓代工廠們工藝的不斷升級息息相關(guān)。晶元代工廠臺積電前不久試產(chǎn)了7nm EUV工藝,采用ASML的新式光刻機Twinscan NXE,完成了客戶芯片的流片工作,同時宣布5nm工藝將在2019年4月開始試產(chǎn),量產(chǎn)則有望在2020年第二季度。
為什么說晶圓加工工藝的升級與電子產(chǎn)品產(chǎn)品開發(fā)微型化息息相關(guān)呢?因為晶元代工廠臺積電推出的7nm、5nm晶圓加工工藝意味著在同樣的材料中可以制造更多的電子元件,連接線也越細,精細度就越高,CPU的功耗也就越小。晶元代工廠臺積電在7nm EUV工藝上成功完成流片,證明了新工藝新技術(shù)的可靠和成熟,為后續(xù)量產(chǎn)打下了堅實基礎(chǔ)。相比臺積電第一代7nm深紫外光刻(DUV)技術(shù),臺積電宣稱可將晶體管密度提升20%,同等頻率下功耗可降低6-12%。
而7nm之后,臺積電下一站將是5nm(CLN5FF/N5),將在多達14個層上應(yīng)用EUV,號稱其可比初代7nm工藝的晶體管密度提升80%,芯片面積縮小45%,頻率提升15%,功耗降低20%。
而三星也宣布開始進行7nm LPP(Low Power Plus)工藝芯片的量產(chǎn)工作。三星的7nm LPP采用ASML的EUV光刻機,型號為雙工件臺NXE:3400B(光源功率280W),日產(chǎn)能1500片。
在技術(shù)指標(biāo)上,對比10nm FinFET,三星7nm LPP可實現(xiàn)面積能效提升40%、性能增加20%、功耗降低最多50%。目前已知,高通新一代的5G基帶會采用三星的7nm LPP工藝。
這些代工巨頭們在先進制程持續(xù)競賽,意味著EUV工藝就要正式產(chǎn)業(yè)化,這為打拼20多年的ASML帶來了全新的曙光,迎來了開掛態(tài)勢。
深圳單片機開發(fā)方案公司英銳恩引用一段專家分析,來更客觀地看待ASML的光刻設(shè)備。EUV光刻工藝今年正式量產(chǎn)只是一個開始,因為沉浸式光刻機的產(chǎn)能可達250 WPH,可以250W的光源長時間穩(wěn)定運行,因此,EUV光刻155 WPH的產(chǎn)能雖然可喜可賀,但還需要持續(xù)精進。