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近日,國(guó)外媒體報(bào)道顯示韓國(guó)半導(dǎo)體光阻劑的供需已進(jìn)入緊急狀態(tài),庫(kù)存量降到了3個(gè)月安全線(xiàn)以下。造成的原因是因?yàn)榘雽?dǎo)體成熟工藝需求大幅增加,但是光阻劑的供給卻沒(méi)有同樣提升,這也使得向來(lái)依賴(lài)日本廠(chǎng)商供應(yīng)甚深的韓國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),迄今一直無(wú)法自給自足的結(jié)果。
另外,一些韓國(guó)晶圓代工廠(chǎng)的光阻劑庫(kù)存已減少到謹(jǐn)慎兩個(gè)月的供應(yīng)量。根據(jù)過(guò)往經(jīng)驗(yàn),通常低于3個(gè)月供應(yīng)庫(kù)存,廠(chǎng)商方面就要開(kāi)始啟動(dòng)緊急應(yīng)變計(jì)劃。因?yàn)楣庾鑴┑墓?yīng)危機(jī)如果再持續(xù)下去,市場(chǎng)將會(huì)擔(dān)心因?yàn)閹?kù)存不足,半導(dǎo)體生產(chǎn)將造成難以預(yù)期的中斷情況。
而針對(duì)供應(yīng)瓶頸加劇的光阻劑,現(xiàn)階段主要是應(yīng)用于成熟工藝的產(chǎn)品,其中包括從I-line到氟化氪(KrF)等。雖然,不像日本限制出口給韓國(guó),也就是用于極紫外光(EUV)曝光設(shè)備上先進(jìn)工藝光阻劑那般產(chǎn)量較少,但相關(guān)成熟工藝使用的光阻劑仍在整體市場(chǎng)的占比非常大,通常使用于當(dāng)前仍舊產(chǎn)能吃緊的8寸晶圓產(chǎn)品生產(chǎn),以及3DNANDFlash快閃記憶體的生產(chǎn)過(guò)程中。
值得注意的是,光阻劑的短缺不僅會(huì)影響晶圓代工產(chǎn)業(yè),還會(huì)對(duì)存儲(chǔ)芯片的生產(chǎn)形成影響。而就目前的光阻劑短缺原因來(lái)分析,短缺的主要原因是以信越化學(xué)為主的日本光阻劑制造商,其產(chǎn)能面臨瓶頸所造成。先前根據(jù)預(yù)估顯示,即使啟動(dòng)其日本國(guó)內(nèi)的新工廠(chǎng)加入生產(chǎn),產(chǎn)能也不能滿(mǎn)足目前的供應(yīng)需求。此外,日本光阻劑價(jià)格的上漲也是一個(gè)造成供應(yīng)短缺的原因之一。據(jù)韓國(guó)海關(guān)的進(jìn)出口貿(mào)易統(tǒng)計(jì),2021年韓國(guó)從日本進(jìn)口光阻劑的平均價(jià)格,每噸相較2020年上漲了16%以上。
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